3d ic 文章最新資訊

IC China 2025攜手全產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)軍企業(yè)邀您相約北京

2025年11月23日—25日，第二十二屆中國國際半導(dǎo)體博覽會(huì)（IC China 2025）將在中國?北京國家會(huì)議中心舉辦。此次博覽會(huì)以“凝芯聚力·鏈動(dòng)未來”為主題，圍繞高峰論壇、展覽展示、產(chǎn)業(yè)對(duì)接、專場(chǎng)活動(dòng)四大核心板塊，為全球半導(dǎo)體行業(yè)搭建專業(yè)交流合作平臺(tái)，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。高峰論壇：聚焦產(chǎn)業(yè)前沿，匯聚全球智慧共話發(fā)展在高峰論壇板塊，多場(chǎng)高規(guī)格論壇已確認(rèn)舉辦，覆蓋半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵領(lǐng)域與前沿方向。1開幕式暨第七屆全球IC企業(yè)家大會(huì)將作為展會(huì)開篇重頭戲，匯聚全球行業(yè)領(lǐng)軍人物，共話半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與全
關(guān)鍵字： IC China

3D-IC將如何改變芯片設(shè)計(jì)

專家在座：半導(dǎo)體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對(duì) EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計(jì)算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級(jí)產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費(fèi)薩爾;是德科技新機(jī)會(huì)業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺(tái)產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
關(guān)鍵字： 3D-IC 芯片設(shè)計(jì)

長江存儲(chǔ)全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司（長存集團(tuán)）召開股份公司成立大會(huì)并選舉首屆董事會(huì)，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長江存儲(chǔ)以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨(dú)角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機(jī)構(gòu)同步參與；7月，長存集團(tuán)新增股東員工持股平臺(tái) —— 武漢市智芯計(jì)劃一號(hào)至六號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
關(guān)鍵字：長江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 3D NAND 晶棧 Xtacking

第一次深入真正的3D-IC設(shè)計(jì)

專家在座：半導(dǎo)體工程坐下來討論了對(duì) 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計(jì)算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級(jí)產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費(fèi)薩爾;是德科技新機(jī)會(huì)業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺(tái)產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
關(guān)鍵字： 3D-IC設(shè)計(jì)

“RISC-V商用落地加速營伙伴計(jì)劃”在北京亦莊發(fā)布聚力推動(dòng)RISC-V產(chǎn)品方案從原型走向商用落地

9月25日，作為2025北京微電子國際研討會(huì)暨IC WORLD大會(huì)的重要專題論壇，RDI生態(tài)·北京創(chuàng)新論壇·2025在北京亦莊舉行。本次論壇以“挑戰(zhàn)·對(duì)策·破局·加速”為主題，匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游代表，圍繞RISC-V在垂直場(chǎng)景下的商業(yè)化路徑及策略展開深度研討，共同推動(dòng)RISC-V從原型產(chǎn)品向規(guī)模商用落地邁進(jìn)。論壇現(xiàn)場(chǎng)會(huì)上，工業(yè)和信息化部電子信息司二級(jí)巡視員周海燕，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局總工程師李輝，北京經(jīng)開區(qū)管委會(huì)副主任、北京市集成電路重大項(xiàng)目辦公室主任歷彥濤，RISC-V工委會(huì)戰(zhàn)略指導(dǎo)委員會(huì)主任倪光南，RI
關(guān)鍵字： RISC-V IC World

國產(chǎn)廠商切入下一代存儲(chǔ)技術(shù)：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級(jí)態(tài)勢(shì)攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計(jì)算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計(jì)，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運(yùn)行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時(shí)還能進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲(chǔ)廠商也普遍將 3D
關(guān)鍵字： 3D DRAM

汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動(dòng)的EDA工具打破障礙

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因?yàn)樗捎米詣?dòng)駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對(duì)緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項(xiàng)有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方法，有可能重塑汽車市場(chǎng)。通過垂直堆疊多個(gè)芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時(shí)克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計(jì)和實(shí)施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
關(guān)鍵字：汽車應(yīng)用 3D-IC 人工智能 EDA工具

實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世

高密度 3D DRAM 可能即將到來。
關(guān)鍵字： 3D DRAM

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲(chǔ)器開始送樣

全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲(chǔ)器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計(jì)劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對(duì)尖端應(yīng)用市場(chǎng)的多樣化需求，同時(shí)提供兼具投資效益與競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
關(guān)鍵字：鎧俠 3D 閃存 TLC存儲(chǔ)器閃存 3D閃存

在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對(duì)于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計(jì)工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場(chǎng)全球性的競(jìng)賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個(gè)領(lǐng)域。在過去幾個(gè)月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢(shì)，這些趨
關(guān)鍵字： EDA 3D IC 數(shù)字孿生

西門子EDA推新解決方案，助力簡(jiǎn)化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
關(guān)鍵字：西門子EDA 3D IC

2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展

來自日本東京科學(xué)研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面（2D）中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對(duì)于高性能計(jì)算，研究人員通過采用 3D 堆棧計(jì)算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進(jìn)步。為了實(shí)現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
關(guān)鍵字： 2.5D/3D 芯片技術(shù) 半導(dǎo)體封裝

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器（1T1C）和三個(gè)晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
關(guān)鍵字： Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM

3D打印高性能射頻傳感器

中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子）和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對(duì)超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
關(guān)鍵字： 3D 射頻傳感器

閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 Western Digital 分拆出來時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級(jí)副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
關(guān)鍵字： Sandisk 3D-NAND